美光在发布季度财报后召开电话会议。会上，美光首席执行官SanjayMehrotra表示，与传统内存相比，HBM消耗的晶圆明显更多。
美光表示，在同一节点生产相同容量时，目前最先进的HBM3E内存消耗的晶圆数量是标准DDR5的三倍，预计随着性能和性能的提升，随着封装复杂性的增加，这个比例在未来的HBM4中还将进一步提高。
参考ITHouse之前的报道，这个高比例部分是由于HBM的低良率。HBM存储器由多层DRAM存储器TSV连接堆叠而成。一层出现问题意味着整个堆栈都会报废。目前HBM的良率仅为2/3左右，明显低于传统内存产品。
目前，由于AI领域的蓬勃发展，热门产品HBM已经供不应求。SK海力士今年已售完HBM产能，三星也已完成今年大部分产能的配额谈判。梅赫罗特拉此次进一步表示，美光的HBM产能即使明年也基本被预定了。
HBM的高需求，加上晶圆的高消耗，挤压了其他DRAM的产量。美光表示，非HBM内存正面临供应紧张。
此外，美光声称其8HiHBM3E内存已开始大批量出货，并可能在截至8月的财年中贡献数亿美元的收入。
对于12层堆叠36GBHBM3E，梅赫罗特拉表示这款未来产品已于本月初完成出样，目标是在2025年实现量产。